在通城的智云微电子总部里,徐申学也详细了解到了智云微电子下一代先进工艺N2工艺的相关信息。
智云微电子的CEO丁成军如此介绍道:“我们新开发的N2工艺对比N3工艺,不仅仅是在金属间隔上,也在栅极结构上进行了重大的调整!”
“全新的N2工艺,将会依托我们的HUVE-800C光刻机,在金属间隔上得以缩小到二十纳米的水平,这也是目前半导体行业里量产工艺里最高的水平。”
“而栅极结构上,我们全面采用了第二代全栅极结构技术,不仅仅能够进一步提升晶体管密度,更大幅度的降低了功耗水平!”
“更小的金属间隔、更强的第二代全栅极结构技术,使得我们的N2工艺制造出来的芯片,其晶体管密度已经达到了每平方毫米三亿六千万个!”
“在同等功率下,性能对比N3工艺提升了百分之三十五,对比N3L工艺提升了百分之三十,对比N3S工艺提升了百分之二十!”
“N2工艺的投产,能够让我们获得比N3工艺时代更强悍的技术优势,而且是其他竞争对手难以追赶的技术优势!”
徐申学也是微微点头,在N3工艺时代里,智云微电子依旧是有竞争对手的,台积电是有N3工艺的,此外四星的N3工艺也在近期投产了。
虽然它们的技术落后一些,产能也都比较小,但是依旧是有N3工艺的……………
但是进一步提升到N2工艺时代后,那么智云微电子的竞争对手瞬间就变成零了......原因特别的简单,N2工艺投资太高了,不仅仅投资成本高,而且它的市场其实是有限的。
首先N2工艺的晶圆厂投资很大的。
以智云微电子为例子,智云微电子在通城投资建设的N2工艺的晶圆厂:第四十九厂。
这个晶圆厂预计总投资超过两百五十亿美元,设计月产能为五万片......其每万片投资成本在五十亿美元左右。
而这仅仅是晶圆厂的直接投资成本,还不包括一系列的配套工厂的投入。
除了制造领域的研发以及建设投入外。
N2工艺的工艺本身开发成本也是极为昂贵的......这里头也涉及一大堆的新设备、新材料、新工艺。
各种成本都折算进去的话

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