又坚定地道:“但是张汝京必须完全退出中芯,而且中芯以后不能再动台积电的任何技术员。”
“我看这条恐怕暂时谈不拢,因为中芯暂时没有能替代张汝京稳定局面的人。”陈学兵语气也很坚定,“谈谈技术授权吧,中芯要的技术清单,已经发给你们了吧。”
“你们想要前瞻多重曝光技术,这个我们可以答应,但有几个条件。”
“什么条件?”
“第一,中芯国际15%的股份,第二,针对之前的技术侵权赔款两亿美元,第三,张汝京完全退出,第四,技术授权费根据你们的报价上涨20%。
“你们干制造业真是屈才了,不如直接去抢。”陈学兵沉着脸起身,背着手道:“你们在想什么?你们的多重曝光技术成熟了吗?这项技术是根据现有的193nm浸没式光刻机(1931)提升实际分辨率,中芯拿到你们的技术授
权根本不够,还得去找IBM联盟要技术,而且等到研发有了实际成效,到时候EUV光刻机说不定都研发成功了!这项技术就是一团废纸!”
他这番话,得益于对张汝京的请教。
准确地说,是和张汝京的辩论。
张汝京认为没有必要全力投入多重曝光的研发,因为这项技术要针对不同类型的光刻机进行研究,针对目前的193多重曝光玩得再好,如果未来全世界的光刻机光源系统升级换代,比如说ASML的EUV项目如果量产成功,那
1931肯定会被淘汰。
因为全世界都知道,EUV 光源单次曝光极限就是13nm线宽,而如今的193i差着好几倍,即使通过193多重曝光达到同样的线宽,生产成本也会高得多得多。
当然,即使是EUV,未来可能也会用上多重曝光,但技术逻辑肯定会完全不同。
而且多重曝光这样的技术是行业通用技术,专利期限比较短,最长的SEP专利也就是5-8年时间,未来这项技术肯定是大家共同发展的。
中芯发展多重曝光,不是永远绕不过台积电,只是短期几年内绕不过台积电,做出先进产品有可能被台积电利用专利墙起诉而已。
可陈学兵要的就是这几年。
针对是否发展193的多重曝光必要性,陈学兵也向张汝京提出了一个问题:未来几年,如

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