都会半途而废。
他只聊手机,不继续展开。
“14纳米,7纳米。”梁孟松忽也一笑,“你未必想得太简单了,晶体管是平的,沟道像一条平躺的小路,栅极像一块盖在上面的板子,通电时,栅极从上往下控制沟道开关,栅极宽度一旦到了20nm,沟道太短,太窄,栅极
只能压到上面一面,两边控制不到,结果就是关不住电流,一直漏电,电压一加上,沟道里的电子乱跑,平面结构越做越小,漏电只会越来越大。
“所以,平面MOS管做到20nm就已经没有商用价值,16nm就是死路。”
他的口吻像个下生杀令的判官,但细细观察,能发现他嘴角隐藏的一丝骄傲。
陈学兵并未被他的话吓到,全程观察着他的脸色,自然是注意到了,而后一句话,便让对方的自信消失,变为错愕。
“平面不行就做立体嘛,梁先生是世界上最懂FinFET的人,就算是你的导师胡正明,实操方面也比不上你,否则你认为我为什么不远千里来亲自请你?”
“FinFET!”梁孟松似被触到了底牌,有些激动:“你知道FinFET有多难吗?全流程至少2000步,其中光刻步骤超100层,而且不同层的工艺要求不同,需要多台光刻机同时处理,形成并行流水线!”
FinFET路径,太远,太贵,太难,并非当前的行业共识,可以说世界上懂FinFET的人很少,并且其中99%的人都认为FinFET只是实验室器件而非量产路径,只有极少数人心里笃定这是前路。
而他,就是其中最笃定的一个。
而且他坚信,他一定能率先攻克FinFET,所以他认为自己的时间宝贵,不想浪费在中芯,也许只有三星才能提供相应的资源。
他笃信FinFET,将之视为自己一雪前耻的路,所以此刻陈学兵认同FinFET,他心里应该是欣喜的。
可这话从一个行外人嘴里十分轻描淡写地说出来,他严重怀疑对方只是一知半解。
不,连一知半解都算不上,搞不好就是从哪里随意听说了点什么,就把实验室和量产混淆了。
梁孟松的想法其实非常对,陈学兵确实是连一知半解都算不上,也确实只算是听说。
可他听说的渠道,

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