陈总此次来台,与在韩国的高调完全相反,静悄悄,孤零零带着任颖,入住了一家名不见经传的小酒店。
夜已深,酒店楼梯间的声控灯忽明忽暗。
蒋尚义在小巨蛋附近寻了两圈才找到这间酒店,敲开302房门时,陈学兵正对着笔记本电脑看资料,任颖安静地坐在一旁整理文件,屋里只有空调的轻微嗡鸣。
见只有蒋尚义一人,陈学兵起身让座,毫无客套:
“蒋总,路上辛苦了,这是我们调整后的技术授权包,你过目。”
任颖递过去一份刚整理好的薄薄的合同,蒋尚义接过看了看,正好他随身公文包里有准备好的合同原清单,便拿出来逐页对比。
灯光下,他的眉头渐渐蹙起。
原清单里的七八项45nm平面工艺辅助专利被剔除,取而代之的是两项专利:
「鳍片定义的SADP自对准双重曝光」和「源漏区的LELE光刻」。
蒋尚义指尖在纸上顿了顿,很快有了判断。
“你们是想做... FinFET?”
陈学兵靠在椅背上笑了笑,既不承认也不否认:“这两项专利虽然是FinFET核心,但台积电已经储备更先进的SAQP四重曝光技术,授权SADP/LELE不会泄露台积电真正的技术壁垒。”
这套话术,是梁孟松教他的。
专利包的增减,也是梁孟松定的。
梁孟松认为这份专利包有些冗余,原有清单中有七八项专利是45nm平面工艺的辅助专利,对FinFET价值有限,这部分可以在IBM给中芯的45nm工艺参数上想办法,并且可以通过复用IBM的技术参数,寻找出替代台积电的
工艺方案,减少单一依赖。
而新增的两项专利,其实是梁孟松自己的,只是当时他在台积电,专利便归了台积电。
SADP搞定鳍片结构,LELE搞定源漏性能,这两项专利可以帮助解决FinFET最关键的“鳍片图形成型”问题,精准成型FinFET的源极和漏极区域,决定芯片的电流驱动能力和功耗控制。
台积电已经有更先进的技术,而梁孟松拿到这两项技术授权,便可以走自己的方向。
蒋尚义合上合同,抬眼

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