邱慈云深吸一口气。
天降大能于中芯,挖来了台积电的研发核心人物,摁着台积电给授权,妥善安置张汝京,还给这么一句承诺。
变了,中芯真是要大变了。
又是老厂子,有感情。
还给他一个董事长职位。
他此时已经想点头,只是强忍着几分矜持。
陈学兵也言尽于此,给张汝京递了个眼神。
张汝京领会,拉着慈云去一边:“老邱啊,以前没有认可你的路线是我的问题,你看,季明华,周梅生,涂良山这些你的老部下,我都提拔到工程副总裁,厂长...”
俩人聊着走远。
留下梁孟松,盯着那个空荡荡的超洁净室,忽然道:“你确定下个月资金能到位,我就请张总联系ASML下新的订单了,等机器到了我还要做很多改动,需要些时间,最好能一次拿三台,定制套件会方便一些。”
“没问题。”陈学兵笃定道。
说着,心里又是惊叹。
这神人居然还能改ASML的新机器。
“对了,你那天说XT1900i做FinFET至少要三台联动,如果...ASML下一代浸没式出来,单次曝光的制程节点更进一步,那就不需要这么多机器了吧?”
“不能。”梁孟松打量了他一眼,道:“我已经解释过了,需要多台机器这是工序问题,多重曝光的原理是把一个复杂图形拆分成多个简单图形,更好的光刻机只是能让每个工序做得更快一些,提高总体产出。”
梁孟松说到这里又再打量他,眼神里有些疑色。
“而且XT1900i在单次曝光制程上已经很难进步,快到极限了,你不知道?”
陈学兵有点懵了。
我又不是专家,上哪知道去?
而且...这才2007年,你跟我说极限?
“不可能吧?不是听说ASML在研究下一代吗?”
梁孟松见他瞪眼加迷茫,这才细细解释道:
“光刻机的精度提升,离不开一个公式,叫瑞利判据。
“计算公式为CD=1×入/NA,CD是单次曝光的制程节点,ki是工艺因子,入是波长,NA

本章未完，请点击下一页继续阅读->>>