锐利如刀,“45nm是跳板,我会先把HKMG工艺吃透,用它验证FinFET的核心结构———鳍部蚀刻、栅极包裹、衬底隔离,这些关键技术和节点没有绝对绑定,只要设备精
度够,就能在45nm平台上做缩小比例的原型试验。等原型跑通了,28nm的多重曝光技术正好跟上,用来解决FinFET的图形化难题;至于20nm,本来就是过渡节点,为什么要浪费时间?”
他顿了顿,补充道:“你担心的专用设备,ASML目前的XT1900i通过双重曝光能把线宽压到28nm以下,只要解决套刻精度问题,就能满足14nm FinFET的光刻需求,我在台积电主导65nm时,就用193nm光刻机做过类似
尝试,良率能从30%提到70%,现在的设备比当时更先进,没理由做不到。”
“材料是花钱能解决的问题,那就不是问题。我在台积电的老部下里,有专门做材料适配的团队,只要你肯出溢价,他们能通过IME的渠道拿到样品,量产之前用不了多大的量,而且三星的32nm材料供应链可以借鉴,看你
能不能拿到。”
梁孟松实在耿直,几句话便把路径给说完了。
他语速太快,像那种尖子班的数学老师,理所当然地觉得每个人都该听得懂一般,根本不给陈学兵消化的间隙,搞得陈学兵全力以赴也没太听明白。
陈学兵只能感叹:梁孟松,神人也。
只是随口而出,就把每一个节点的突破点都说到了,甚至包括目前全世界都没有突破的节点。
具体有多神?
就他刚才随口说到的一个点,“65nm良率从30%提升到70%”,是整个中芯国际干了大半年都没有实现的。
没理由做不到?
中芯国际全体科研人员听了都要吐血三升。
在梁眼里,追制程可能就没有困难,每个节点的突破如探囊取物一般。
说说不算牛逼,关键是人家真的能做。
但随即,陈学兵脑子里瞬间出现了一连串疑问。
“既然你这么笃定FinFET可行,又认为五年就能突破到量产,为什么不说服台积电选你的路?台积电不可能一点紧迫感都没有吧?”
“因为不

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