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第五百一十章 神人也(第4/7页)

划算。”梁孟松抱起手,缓缓说道:
“胡正明2001年就担任台积电第一任CTO,带来了FinFET的想法,但这需要全新设备,全新工艺、全新设计规则,投资是平面工艺的2-3倍,所以直到他2004年离任,台积电仍坚持以平面MOSFET为主,并且和ASML联合
开发出了浸没式光刻机,算是走通了平面迭代的路。
“张忠谋的风格是稳健第一,不赌激进路线,新上任的蔡力行也主张成本绩效为先,所以他们更倾向渐进式迭代,对FinFET持谨慎观望态度,FinFET课题在台积电一直存在,但要到20nm以下才是真正需求,所以没有必要上
得太早。”
陈学兵还是不理解:“渐进式迭代,台积电难道不慌,不想争第一?”
“纸面第一有什么意义?”梁孟松笑道:“对他们来说,渐进式推进才是最赚钱的,甚至一代可以拆成两代,就像45nm和40nm,32nm和28nm,真正的尺寸差只有一点点,前面短命过渡的制程可以高价卖给急需迭代的大客
户先用,真正成熟主力优化了漏电、速度、良率,然后对外宣称新一代、更先进、更便宜,客户一听“新一代”,就得重新买IP,重新流片,重新投光罩,台积电就多赚一轮大钱,他们已经是第一了,没有必要以最快的速度迭代,
消耗未来赚钱的潜力。”
陈学兵通达了。
主流节点应该以上一代尺寸×0.707来进步,因为计算面积时,0.707*0.707≈0.5,即晶体管面积缩小一半。
那么,90nm×0.7=63nm,标注65nm。
65nm×0.7≈45.5nm,标注45nm。
45nm×0.7=31.5nm,标注32nm。
这才是目前0.7定律的完整代际,可是国际上有了很多中间的过渡节点,而且这些过渡节点每家代工厂标注都不一样,非常乱,比如什么80nm,55nm,50nm之类,反正说多少就是多少。
大厂的商业游戏。
他忽然想起美军的装备迭代。
曾经的美国军工厂也是这么想的,冷战结束之后回头发现全世界都被甩远了,就开始体系性躺赢,F-15

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